[发明专利]非易失性存储器及其写入方法有效
| 申请号： | 200380100721.X | 申请日： | 2003-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1692450A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 古山孝昭 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种能够对连接在同一字线上的多个存储单元进行一齐写入的非易失性存储器。在存储单元阵列(20)的各存储单元(10)内设置有按各列单位相互分离的源极线(SL)。在写入时，第1和第2源极电压中的任何一方根据要写入的数据被施加给各源极线(SL)。在负电压的第1控制电压被施加给字线(CWL)之后，在维持各源极线(SL)的电压的状态下，高电压的第2控制电压被施加给该字线(CWL)。因此，各存储单元(10)根据被施加给各个源极线(SL)的电压被擦除或者被编程。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器，包括：字线；与所述字线连接的多个存储单元；以及分别与所述多个存储单元中的一个连接的多根源极线；其特征在于，该非易失性存储器具有多个源极电压供给电路，该多个源极电压供给电路与所述各源极线连接，取得分别对应的存储单元的写入数据，根据该写入数据把第1源极电压和第2源极电压中的任何一方供给相关的源极线。
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