[发明专利]半导体处理用载置台装置、成膜装置和成膜方法

摘要

在半导体处理用的成膜处理容器(4)内配设载置台装置。载置台装置包括：载置台(16)，其具有载置被处理基板(W)的上面和从上面下降的侧面；和加热器(18)，配设在载置台(16)内，且通过其上面加热基板(W)。CVD预覆层(28)覆盖载置台(16)的上面和侧面，预覆层(28)具有使由加热器(18)的加热得到的来自载置台(16)的上面和侧面的辐射热量实质饱和的厚度以上的厚度。

主权项

1.一种载置台装置，配设在半导体处理用的成膜处理容器内，其特征在于，该载置台装置包括有：载置台，其具有载置被处理基板的上面和从所述上面下降的侧面；加热器，配设在所述载置台内且通过所述上面加热所述基板；和CVD预覆层，覆盖所述载置台的所述上面和所述侧面，设定所述预覆层，使其具有使由所述加热器的加热得到的来自所述上面和所述侧面的辐射热量实质饱和的厚度以上的厚度。