[发明专利]铁电体电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200380100790.0 | 申请日： | 2003-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1695247A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·斯科特·克罗斯;冢田峰春;约翰·大卫·巴尼基;野村健二;伊戈尔·斯托里奇诺夫 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/105;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫;张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体衬底(11)上形成MOS晶体管(14)并进一步进行埋入W插塞(24)的工序后，在整个面上顺序形成Ir膜(25a)、IrOx膜(25b)、PZT膜(26)和IrOx膜(27)。这时，对于PZT膜(26)的组分，使Pb量相对Zr量和Ti量过剩。接下来，把Ir膜(25a)、IrOx膜(25b)、PZT膜(26)和IrOx膜(27)加工后，进行退火来恢复在形成IrOx膜(27)等时对PZT膜(26)产生的损伤，同时使IrOx膜(27)中的Ir扩散到PZT膜(26)中。结果，扩散到PZT膜(26)中的Ir就集中在IrOx膜(27)与PZT膜(26)的界面上和PZT膜(26)中的晶粒边界上，从而使这些地方的Ir浓度高于晶粒内的Ir浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 铁电体 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电体电容器，其特征在于，具有下部电极、形成在所述下部电极上的铁电体膜、以及形成在所述铁电体膜上并由导电性化合物构成的上部电极；构成所述导电性化合物的正离子也存在于所述铁电体膜中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
