[发明专利]处理半导体材料的方法无效
| 申请号： | 200380100952.0 | 申请日： | 2003-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN1732557A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 伊戈尔·J·玛利克;斯伦·G·康;马丁·菲尔范格;哈丽·柯克;阿里尔·弗莱特;迈克尔·艾拉·柯伦特;菲利普·詹姆斯·翁 | 申请（专利权）人： | 硅源公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/20;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种形成应变半导体层的方法。该方法包括在晶圆上生长具有第一晶格常数的应变半导体层。该方法还包括对所述应变半导体层进行蚀刻退火，其中所述应变半导体层得到松弛。该方法控制半导体层的表面粗糙度。该方法还具有减少半导体层中的位错的意想不到的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 半导体材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于控制应变半导体材料的表面粗糙度的方法，包括：在蚀刻环境中对所述应变半导体材料的表面进行退火，其中所述半导体材料中的表面位错密度被减小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅源公司，未经硅源公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200380100952.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种大负载任意位置机械锁定液压顶升机构
- 下一篇：新型水景别墅
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
