[发明专利]透明氧化物半导体薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200380101292.8 | 申请日： | 2003-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1703772A | 公开（公告）日： | 2005-11-30 |
| 发明（设计）人： | P·F·卡西亚;R·S·麦克莱恩 | 申请（专利权）人： | 纳幕尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;H01L21/365;H01L29/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华;王景朝 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及新型透明氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 氧化物 半导体 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种在场效应晶体管中沉积选自氧化锌、氧化铟、氧化锡和氧化镉的无掺杂的透明氧化物半导体的方法，包括选自以下的一种方法：a)在混合了惰性气体的氧气有效分压下物理气相沉积无掺杂的TOS；b)在有效氧气分压下电阻蒸发无掺杂的TOS；c)在有效氧气分压下激光蒸发无掺杂的TOS；d)在有效氧气分压下电子束蒸发无掺杂的TOS；和e)在有效氧气分压下化学气相沉积无掺杂的TOS。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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