[发明专利]采用硅化合物进行的含硅层沉积

摘要

本发明的实施方式一般地提供了硅化合物的组合物和采用该硅化合物沉积含硅膜的方法。该方法利用将硅化合物引入到衬底表面并沉积部分硅化合物，即硅主结构而成为含硅膜。配体是硅化合物的其它部分，其作为原位蚀刻剂而释放出来。该原位蚀刻剂支持选择性的硅外延生长。硅化合物包括SiRX₆、Si₂RX₆、Si₂RX₈，其中X独立地为氢或卤素，R为碳、硅或锗。硅化合物也包括含有三个硅原子，选自碳、硅或锗的第四个原子，和选自氢或卤素且至少一个为卤素的多个原子的化合物，并且含有四个硅原子，选自碳、硅或锗的第五个原子，和选自氢或卤素且至少一个为卤素的多个原子的化合物。

主权项

1.一种沉积含硅膜的方法，其包括：将硅化合物输送到衬底表面；使硅化合物发生反应而在衬底表面上沉积含硅膜；以及所述的硅化合物包括下列结构：其中X₁-X₆独立地为氢或卤素，R为碳、硅或锗，且X₁-X₆包括至少一个氢和至少一个卤素。