[发明专利]沉积氧化膜的装置和方法无效
| 申请号： | 200380101492.3 | 申请日： | 2003-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1705768A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | R·N·安德森;P·B·科米塔;A·瓦尔德豪尔;N·B·赖利 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了沉积氧化膜的装置和方法。该方法包括采用含有硅源气体、氧气和氢气的处理气体混合物，在800－1300℃的处理温度下在衬底上沉积氧化膜。在氧化膜沉积期间，处理气体混合物中含有6％以下的氧气、硅气体和主要的氢气。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 氧化 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成氧化膜的方法，其包括：提供第一衬底；采用包括硅源气体、氧气和氢气的处理气体混合物，于800℃-1300℃的处理温度下在所述第一衬底上沉积氧化膜，其中在所述沉积期间，所述处理气体混合物包括6％以下的氧气、硅气体和主要的氢气。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
