[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 200380101505.7 | 申请日: | 2003-11-06 |
公开(公告)号: | CN1706031A | 公开(公告)日: | 2005-12-07 |
发明(设计)人: | 境正宪;岛信人;奥田和幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/31;C23C16/44 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置,其包含形成了容纳基板1、供给多种反应气体、并对所述基板实施所需处理的空间的反应容器11;开口于反应容器11、用于排出反应容器11内气体的排气口16;以及向反应容器11至少供给多种反应气体的气体供给系统70A、70B。所述气体供给系统70A、70B包括供给清洁气体的清洁气体供给单元和供给后处理用气体的后处理用气体供给单元,所述清洁气体用于除去对基板1实施所需处理时附着在反应容器11内的附着物,所述后处理用气体能够在供给清洁气体并除去了附着物之后除去反应容器11内残留的清洁气体中所含元素,所述后处理用气体包含对基板实施所需处理时使用的全部反应气体。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其含包以下部分:形成容纳基板、供给多种反应气体、并对所述基板实施所需处理的空间的反应容器,开口于所述反应容器、用于将所述反应容器内排气的排气口,向所述反应容器至少供给所述多种反应气体的气体供给系统;所述气体供给系统包括供给清洁气体的清洁气体供给单元和供给后处理用气体的后处理用气体供给单元,所述清洁气体用于除去对所述基板实施所需处理时附着在反应容器内的附着物,所述后处理用气体能够在供给所述清洁气体并除去了附着物之后除去反应容器内残留的清洁气体中所含元素;所述后处理用气体包含对所述基板实施所需处理时使用的全部反应气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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