[发明专利]用于较高雪崩电压操作的具有外延层的瞬态电压抑制器无效
| 申请号： | 200380101665.1 | 申请日： | 2003-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN1729557A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 杰克·恩格;约翰·诺顿;劳伦斯·拉泰尔扎;詹姆斯·海斯;吉恩－米歇尔·吉约 | 申请（专利权）人： | 通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/24 | 分类号： | H01L21/24;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;谢丽娜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：具有体区部分和在该体区部分之上设置的台阶部分的重掺杂的第一导电类型的第一层。在第一层的该台阶部分上淀积第二导电类型的第二层，以在其间形成p－n结。第二层比第一层更加轻的掺杂。在第二层上形成第二导电类型的接触层。第一和第二电极分别电接触第一层的体区部分和该接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 雪崩 电压 操作 具有 外延 瞬态 抑制器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：重掺杂的第一导电类型的第一层，其包括体区部分和在所述体区部分之上设置的台阶部分；在所述第一层的台阶部分上淀积的第二导电类型的第二层，以在其间形成p-n结，所述第二层比第一层更加轻的掺杂；在所述第二层上形成的第二导电类型的接触层；以及第一和第二电极，所述第一和第二电极分别电接触所述第一层的体区部分和所述接触层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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