[发明专利]通过掩埋氧化物层中的压缩材料导入张力应变硅的半导体器件有效
| 申请号： | 200380101675.5 | 申请日： | 2003-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1706038A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | D·J·瑞斯特;相奇;J·F·布勒 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在不需要形成硅锗层的情况下，提供绝缘体上硅(SOI)与应变硅技术的高速能力的半导体器件。在SOI半导体衬底(20)上形成压缩材料层(22)，以引起在覆盖硅层(21)中的应变。该压缩材料包括氧氮化硅、磷、氮化硅以及硼/磷掺杂的硅玻璃。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 掩埋 氧化物 中的 压缩 材料 导入 张力 应变 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包含：半导体衬底(20)，在该半导体衬底(20)上的压缩材料层(22)，以及在该压缩材料层上(20)的应变硅层(21)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
