[发明专利]强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件、强电介质膜的制造方法、和强电介质电容器的制造方法有效
| 申请号： | 200380101906.2 | 申请日： | 2003-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN1706007A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | 木岛健;滨田泰彰;名取荣治;大桥幸司 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;C01G25/00;C01G33/00;H01L27/10;H01L41/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种由AB1－XNbXO3的通式表示的氧化物形成的强电介质膜。A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W、Hf、和Ta中至少一中以上构成。并且，该强电介质膜在0.05≤x＜1的范围内含有Nb。该强电介质膜也可用于1T1C、2T2C和单纯矩阵型强电介质存储器任一中。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 电容器 存储器 压电 元件 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种强电介质膜，由AB1-XNbXO3的通式表示，其中，A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W、Hf、和Ta中的至少一种以上构成，在0.05≤x＜1的范围内含有Nb。
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