[发明专利]在薄膜的等离子体蚀刻过程中探测终止点的方法和装置

摘要

本发明公开了一种在蚀刻具有置于终止点生成层之上的第一层的叠层时控制等离子体蚀刻过程的方法。该方法包括在监控穿过等离子体处理室内部的光束的吸收率时，蚀刻穿过第一层并至少部分蚀刻穿过终止点生成层，其中，终止点生成层选自从当被蚀刻时能产生可探测的吸收率变化的材料。终止点生成层的特征在于第一特征和第二特征中的至少一个。第一特征是厚度不足以作为蚀刻终止层，及第二特征是用于蚀刻穿过第一层的蚀刻剂的选择性不足以作为蚀刻终止层。该方法还包括在探测到可探测的变化时产生终止点信号。

主权项

1.一种用于控制在等离子体处理室中的等离子体蚀刻过程的方法，包括：将在其上具有叠层的基片引入所述等离子体处理室，所述叠层包括设置在终止点生成层之上的第一层；当监控穿过所述等离子体处理室的内部的光束的吸收率时，蚀刻穿过所述第一层并至少部分蚀刻穿过所述终止点生成层，其中，所述终止点生成层选自当被蚀刻时产生所述吸收率的可探测的变化的材料，所述终止点生成层的特征在于第一特征和第二特征中的至少一个，所述第一特征为没有足够的厚度作为用于所述蚀刻的蚀刻终止层，所述第二特征为用于蚀刻穿过所述第一层的蚀刻剂没有足够的选择性以作为所述蚀刻终止层；以及当探测所述可探测的变化时，产生终止点信号。