[发明专利]单晶性薄膜无效
| 申请号： | 200380102130.6 | 申请日： | 2003-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1708607A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 长谷川胜哉;和泉辉郎;盐原融;菅原义弘;平山司;大场史康;几原雄一 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;财团法人国际超电导产业技术研究中心 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;H01L39/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及在基底层上形成优质薄膜的技术。该成膜技术可较好地应用于提供，例如在超导线材或超导器件等中能利用的氧化物高温超导体薄膜。其是在基体材料上形成的单晶性薄膜，其特征在于：该薄膜由与基体材料不同的物质构成，在基底层和薄膜中共同地包含的特定的原子层在这些基体材料与薄膜的界面中被共有，在从界面起到薄膜的100个单位晶格以内的界面附近区域中，以基体材料的晶体方位为基准具有偏移角±2度以内的方位而生长的晶体所占的比例大于或等于50％。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶性 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种单晶性薄膜，该薄膜是在基底层上形成的薄膜，其特征在于，上述薄膜包含与上述基底层不同的物质，在上述基底层和上述薄膜中共同包含的特定的原子层在上述基底层与上述薄膜的界面中被共有，在从上述界面起到上述薄膜的单位晶格100个以内的界面附近区域中，以上述基底层的晶体方位为基准具有偏移角±2度以内的方位而生长的晶体所占的比例大于或等于50％。
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