[发明专利]半导体组件及其制造方法有效
| 申请号： | 200380102160.7 | 申请日： | 2003-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1708857A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | D·瑞斯特;C·魏因特劳布;J·F·布勒;J·奇克 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种具有源极侧晕圈区(120)的绝缘栅极场效应半导体组件(100)，以及制造该半导体组件(100)的方法。在半导体衬底(102)上形成栅极结构(112)。在半导体衬底(102)中形成源极侧晕圈区(120)。在形成源极侧晕圈区(120)之后，在邻接栅极结构(112)的相反两边形成间隔体(127，128，152，154)。利用斜角注入在半导体衬底(102)中形成源极延伸区(136A)和漏极延伸区(138A)。该源极延伸区(136A)延伸于栅极结构(112)之下，而漏极延伸区(138A)可以延伸于栅极结构(112)之下或侧向地从栅极结构(112)相隔开。在半导体衬底(102)中形成源极区(156)和漏极区(158)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体组件(100)的方法，包括：提供具有主要表面(104)的第一导电类型的半导体材料(102)；在该主要表面(104)上形成栅极结构(112)，该栅极结构(112)具有第一(114)和第二(116)侧边及上表面(118)；利用斜角注入在该半导体材料(102)中非对称地注入第一导电类型的掺杂物，而该斜角注入以相对于垂直该主要表面(104)的方向小于90度的角度进行注入，其中一部分掺杂物为邻接该栅极结构(112)的第一侧边(114)并且作为第一晕圈区(120)；以及在该半导体材料(102)中形成第二导电类型的第一(156)和第二(158)掺杂区，该第一掺杂区(156)接近该栅极结构(112)的第一侧边(114)以及该第二掺杂区(158)接近该栅极结构(112)的第二侧边(116)。
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