[发明专利]用于去除灰化和未灰化铝蚀刻后残留物的超临界二氧化碳化学制剂无效
| 申请号： | 200380102230.9 | 申请日： | 2003-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1708572A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·B·克赞斯基;埃利奥多·G·根丘;许从应;托马斯·H·包姆 | 申请（专利权）人： | 高极技术材料公司 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;C09K13/04;C09K13/06;C09K13/08;H01L21/302;C03C15/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;杨青 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于从半导体基片上的微小区域去除灰化或未灰化铝/SiN/Si蚀刻后残留物的蚀刻后残留物清洗组合物。该组合物含有超临界二氧化碳(SCCO2)、醇、氟源、铝离子络合剂和任选的阻蚀剂。此种清洗组合物克服了SCCO2作为清洗剂的固有缺陷，即SCCO2的非极性特性及与其相关的不能溶解诸如无机盐和极性有机化合物类型的物质，所述类型的物质存在于蚀刻后残留物中并且为了有效清洗必须从半导体基片上除去。本清洗组合物能实现其上具有灰化或未灰化铝/SiN/Si蚀刻后残留物的基片的无损伤、无残留物清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 去除 灰化 蚀刻 残留物 临界 二氧化碳 化学 制剂 | ||
【主权项】：
1.蚀刻后残留物清洗组合物，含有SCCO2、醇、氟源、铝离子络合剂及任选的阻蚀剂。
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