[发明专利]半导体装置、布线衬底的形成方法和衬底处理装置有效

专利信息
申请号: 200380102282.6 申请日: 2003-12-10
公开(公告)号: CN1708835A 公开(公告)日: 2005-12-14
发明(设计)人: 中川香苗;水越正孝;手代木和雄 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 高龙鑫;王玉双
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 准备已经使支承面(201a)平坦了的衬底支座(201),用例如真空吸附把布线形成面(1a)吸附在该支承面(201a)上,从而把半导体衬底(1)固定在衬底支座(201)上。这时,向支承面(201a)的吸附就使布线形成面(1a)强制性的平坦化,这样,布线形成面(1a)成为背面(1b)的平坦化基准面。在该状态下,对背面(1b)进行机械研磨,将背面(1b)的凸部(12)研磨除去来进行平坦化处理。这样,就能够使衬底(特别是半导体衬底)的厚度离散均一化,不会发生凹凸扭曲等不适当的情况,能够容易且廉价地实现无布线设计约束的高速平坦化。
搜索关键词: 半导体 装置 布线 衬底 形成 方法 处理
【主权项】:
1.一种布线衬底的形成方法,在被处理衬底的一个主面上形成布线,其特征在于,包含如下工序:第一工序:以应形成所述布线的所述衬底的一个主面为基准,对所述衬底的另一个主面实施第一机械加工,将所述衬底的另一个主面平坦化;第二工序:在所述衬底的一个主面上,形成所述布线和覆盖所述布线的绝缘膜;第三工序:以所述衬底的另一个主面为基准,对所述衬底的一个主面实施第二机械加工,使所述衬底的一个主面平坦化,以使所述布线的表面和所述绝缘膜的表面连续且平坦。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200380102282.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top