[发明专利]在共注入后在中等温度下分离薄膜的方法有效
| 申请号： | 200380102300.0 | 申请日： | 2003-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1708843A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | I·凯雷弗尔克;N·本莫哈迈德;C·拉加赫－布兰查德;N－P·源 | 申请（专利权）人： | S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司;原子能委员会 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 法国贝*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供从源基底上分离薄膜的方法，包括如下步骤：在源基底中注入离子或气态物质，以在其中形成由于缺陷的存在而被弱化的隐埋区；在弱化区中进行分裂，致使薄膜从源基底上分离那些。注入两种物质，其中一种物质适于形成缺陷，另一种物质适于占据那些缺陷，在比单独通过使用第一物质就可以实现分离的温度更低的温度下进行分离。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 中等 温度 分离 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种从源基底上分离薄膜的方法，包括如下步骤：在源基底中注入离子或气态物质，以在其中形成由于缺陷的存在而被弱化的隐埋区；在弱化区中进行分裂，致使薄膜从源基底上分离该方法的特征在于——注入步骤一方面包括一个子步骤，根据该子步骤，适于形成缺陷的第一物质被注入，另一方面还包括一个子步骤，根据该子步骤，基本上在相同深度，注入适于占据缺陷的第二物质，第一步骤中的注入以充分的剂量进行，该剂量使得仅通过该步骤就允许薄膜在第一温度下分离，第二物质的注入以低于第一物质剂量的剂量进行，以及——在小于第一温度的第二温度下进行分裂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司;原子能委员会，未经S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司;原子能委员会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200380102300.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
