[发明专利]用于在具有帽盖层的半导体互连结构上沉积金属层的方法有效
| 申请号： | 200380102372.5 | 申请日： | 2003-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1708846A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 拉里·克莱温格;蒂莫西·达尔顿;马克·霍因克斯;斯蒂芬斯·达尔多;考施科·库玛;小道格拉斯·拉图利普;徐顺天;安德鲁·西蒙;王允愈;杨智超;杨海宁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种在用于半导体晶片的互连结构上沉积金属层的方法。在该方法中，金属导体(14)被帽盖层(16)和介质层(18)覆盖。对介质层图案化以露出帽盖层。然后对帽盖层溅射蚀刻以去除帽盖层并露出金属导体(14)。在溅射蚀刻过程中，帽盖层被重新沉积(22)到图案的侧壁上。最后，至少一层被沉积到图案中并覆盖重新沉积的帽盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 盖层 半导体 互连 结构 沉积 金属 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导体晶片的互连结构上沉积金属层的方法，该方法包括以下步骤：(a)提供包括金属导体的互连结构，所述金属导体由帽盖层和介质层覆盖；(b)图案化介质层，以形成露出金属导体上方的帽盖层的开口；(c)溅射蚀刻帽盖层，以露出金属导体并且在开口的侧壁上至少部分地重新沉积帽盖层；以及(d)在开口的壁上沉积至少一层金属层，并覆盖重新沉积的帽盖层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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