[发明专利]磁隧道结存储单元结构有效
| 申请号： | 200380102411.1 | 申请日： | 2003-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1708811A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 约翰·德布罗斯;迪特马尔·戈格尔;海因茨·赫尼希施密德 | 申请（专利权）人： | 印芬龙科技股份有限公司;国际商用机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种存储设备，包括磁隧道结存储单元，具有磁隧道结结构和读取开关。在一个示例中，读取开关与用于对磁隧道结结构进行写入的导电体相连。在另一示例中，所述读取开关是通过深通孔触点与磁隧道结结构电连接的晶体管。在另一示例中，所述存储设备包括多个磁隧道结存储单元和分别与所述单元关联的多个导电体，用于将信息写入到关联磁隧道结结构中。每一个读取开关与和除了其中存在读取开关的单元之外的其他磁隧道结单元关联的导电体相连。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 结存 单元 结构 | ||
【主权项】：
1、一种存储设备，包括：磁隧道结单元，包括磁隧道结结构和与所述磁隧道结结构相连的开关，所述开关具有控制输入，所述开关响应所述控制输入，以便允许从所述磁隧道结结构中读出所述磁隧道结结构中所存储的信息；导电体，与所述磁隧道结结构相连，用于将信息写入所述磁隧道结结构；以及所述开关与所述导电体相连。
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