[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制作方法有效
申请号: | 200380102641.8 | 申请日: | 2003-10-23 |
公开(公告)号: | CN1708853A | 公开(公告)日: | 2005-12-14 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;高山彻;丸山纯矢;大野由美子 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/336 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 浦柏明;叶恺东 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是:提供一种不使被剥离层受到损伤的剥离方法,其不仅是具有小面积的被剥离层的剥离,还能成品率很高地进行具有大面积的被剥离层的全面剥离。此外,本发明的课题是提供一种在各种基材上粘贴被剥离层并经轻量化的半导体装置以及其制作方法。特别是,提供一种在柔性薄膜上粘贴以TFT为代表的各种元件(薄膜二极管、由硅的PIN结构成的光电变换元件或硅电阻元件)并经轻量化的半导体装置以及其制作方法。本发明的解决方法是:在基板上设置金属层11,再接在上述金属层11上设置氧化物层12,进而形成被剥离层13,如果以激光照射上述金属层11从而进行氧化形成金属氧化层16,就能够以物理手段在金属氧化物层16的层内或者金属氧化物层16和氧化物层12的界面上进行很好的分离。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于:具备金属氧化物层使其接在具有绝缘表面的基板上的粘结剂上,在该金属氧化物层的上方具备元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的