[发明专利]域扩展ROM介质的处理方案无效
| 申请号： | 200380102671.9 | 申请日： | 2003-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN1711601A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | G·N·菲利普斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11B11/105 | 分类号： | G11B11/105;G11B5/84 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;王忠忠 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种域扩展存储介质和用于处理存储介质以获得改进的读出性能的处理方法。使用模板掩模通过离子束投射光刻技术来改变存储介质的存储层(50)的磁性质以便定义磁畴和/或轨迹图案和/或伺服图案。由此，复制精度、速度和读出性能能够得以改善。 | ||
| 搜索关键词： | 扩展 rom 介质 处理 方案 | ||
【主权项】：
1.一种处理域扩展存储介质的方法，其中磁壁在读出层中偏移，由此扩大存储层的磁畴以便再现由所述磁畴表示的信息，所述方法包括步骤：a)在所述存储介质的基底上沉积所述存储层；b)使至少一束离子通过具有预定图案的掩模以便将所述预定图案朝向所述存储层投射；和c)控制所述离子束以改变所述存储层在暴露部分之下的区域处的磁性质，以便定义数据结构的磁畴。
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