[发明专利]磨平栅极材料以改善半导体装置中的栅极特征尺寸的方法有效
| 申请号： | 200380102760.3 | 申请日： | 2003-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1711630A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | S·S·艾哈迈德;C·E·塔贝里;H·王;B·俞 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造半导体装置(100)的方法，包括在绝缘层(120)上形成鳍式结构(210)。该鳍式结构(210)可包括侧表面以及上表面。该方法还可包括在该鳍式结构(210)上沉积栅极材料层(320)以及平坦化该已沉积的栅极材料层(320)。可在该已平坦化的栅极材料层(320)上沉积抗反射涂层(520)，并且通过该抗反射涂层(520)从该已平坦化的栅极材料层(320)形成栅极结构(510)。 | ||
| 搜索关键词： | 磨平 栅极 材料 改善 半导体 装置 中的 特征 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置(100)的方法，包括：在绝缘层(120)上形成鳍式结构结构(210)，该鳍式结构(210)包括侧表面以及上表面；在该鳍式结构(210)上沉积栅极材料层(320)；平坦化该已沉积的栅极材料层(320)；在该已平坦化的栅极材料层(320)上沉积抗反射涂层(520)；以及通过该抗反射涂层(520)从该已平坦化的栅极材料层(320)形成栅极结构(510)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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