[发明专利]结构化硅阳极有效
| 申请号： | 200380102807.6 | 申请日： | 2003-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1711655A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | M·格林 | 申请（专利权）人： | 帝国学院创新有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/66;H01M10/40;H01M4/04 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种硅/锂电池，其可以从硅衬底形成，所述电池允许在芯片上将其形成为集成单元，所述电池包括硅阳极，所述阳极从在n型硅晶片上形成的亚微米直径的硅柱制得。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 阳极 | ||
【主权项】：
1.一种用于电池的集成硅电极，所述电极包括在硅衬底上形成的亚微米硅结构的规则或不规则阵列。
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