[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200380102828.8 | 申请日： | 2003-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1711641A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | D·富尔曼恩;R·林德斯特德 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L23/528;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其中在一半导体芯片(1)上，复数个别组件数组(2)各沿着一第一类型线路(3)与一第二类型线路(4)而配置。该第一类型线路或该第二类型线路是从一内部区域(A；5)向前延伸至一外部区域(B)，且具有其它线路类型的线路是各配置在该内部区域(A；5)的周围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中在一半导体芯片(1)上，复数个别组件数组(2)各沿着一第一类型线路(3)与一第二类型线路(4)而配置，其特征在于：该第一类型或该第二类型线路是从一内部区域(A；5)向前延伸至一外部区域(B)，且具有其它线路类型的线路是各配置在该内部区域(A；5)的周围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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