[发明专利]清洗微结构的方法无效
| 申请号： | 200380102846.6 | 申请日： | 2003-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1711628A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | 增田薰;饭岛胜之 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B08B7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈长会 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于清洗微结构的方法，它能够有效除去污染物如抗蚀剂残余而不损害半导体晶片所需要的物质如低－k膜。该清洗方法包括流化主要包括高压下的二氧化碳和清洗组分的清洗剂组合物以及使清洗剂组合物与微结构接触以除去粘附在微结构中的物质，其中氟化氢用作清洗组分。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 微结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于清洗微结构的方法，它包括流化清洗剂组合物和使清洗剂组合物与微结构接触以除去粘附在微结构中的物质，所述清洗剂组合物主要包括在高压下的二氧化碳和清洗组分，其中氟化氢用作清洗组分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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