[发明专利]用于在等离子体蚀刻期间屏蔽晶片不受带电粒子影响的设备和方法有效

专利信息
申请号: 200380103007.6 申请日: 2003-12-02
公开(公告)号: CN1711621A 公开(公告)日: 2005-12-21
发明(设计)人: R·怀斯;阎红雯;B·吉;S·潘达;B·陈 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 于静;杨晓光
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种等离子体蚀刻系统,具有带有磁体的晶片卡盘,所述磁体在晶片上施加磁场,以屏蔽晶片不受带电粒子的影响。该磁场与晶片平行,并在晶片表面附近最强。该磁场可以是直线的,或环形的。在操作中,电子被Lorentz力从晶片上偏移,晶片获得正电荷,而离子被静电排斥偏移。中性核素允许穿过磁场,并且它们与晶片碰撞。中性核素通常比带电粒子提供更多的各向同性和材料选择性蚀刻,因此本发明的磁场趋于增加蚀刻各向同性和材料选择性。同样,该磁场可以保护晶片不受设计用于从室表面清除多余膜的涂光工艺的影响,因为涂光工艺通常依赖于利用带电粒子的蚀刻。
搜索关键词: 用于 等离子体 蚀刻 期间 屏蔽 晶片 不受 带电 粒子 影响 设备 方法
【主权项】:
1.一种用于等离子体蚀刻的设备,包括:a)晶片卡盘;b)容器,用于所述晶片卡盘上方的等离子体;c)磁体,在所述晶片卡盘内,用于产生与置于所述晶片卡盘上的晶片的晶片表面平行的磁场,其中所述磁场在所述晶片附近最强,并向所述等离子体的方向减弱,以使所述磁场反射从所述等离子体向所述晶片运动的电子。
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