[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200380103011.2 | 申请日： | 2003-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1711624A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | 丸山研二;仓泽正树;近藤正雄;有本由弘 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;潘培坤 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有包含铁电薄膜的电容结构的半导体器件，其通过如下方法形成：在具有适合于生长具有平面(111)的铁电单晶薄膜层的表面的单晶衬底10上，形成：包含Pb且具有与该衬底表面平行的平面(111)的铁电单晶薄膜12’(或包含Pb且取向与平行于该衬底表面的平面(111)平行的铁电多晶薄膜)、以及半导体器件的部分电路16，以由此制备具有所述包含Pb的铁电薄膜和所述半导体器件的部分电路的单晶衬底10；以及将所述单晶衬底10接合到已经预先形成有该半导体器件的另一电路的另一衬底上，以便将此两个电路连接。由此获得的半导体器件中的电容包括具有大极化电荷量的铁电薄膜。该半导体器件可以用作高可靠性的非易失性存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，该半导体器件具有包含铁电薄膜的电容结构，该方法包括：在具有适合于生长具有平面(111)的铁电单晶薄膜层的表面的单晶衬底上，形成：包含Pb且具有与该衬底的表面平行的平面(111)的铁电单晶薄膜、或包含Pb且取向与平行于该衬底的表面的平面(111)平行的铁电多晶薄膜、以及半导体器件的部分电路，以由此制备具有所述包含Pb的铁电薄膜和所述半导体器件的部分电路的单晶衬底；以及将所述单晶衬底接合到已经预先形成有该半导体器件的另一电路的另一衬底上，以便将此两个电路连接，以由此获得具有包含铁电薄膜的电容结构的半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
