[发明专利]在容器中沉积等离子体涂层的方法和设备无效
| 申请号： | 200380103073.3 | 申请日： | 2003-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1711310A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | C·M·魏卡特;P·J·奥康纳;I－F·胡 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术公司 |
| 主分类号： | C08J7/18 | 分类号： | C08J7/18;C09D183/04;C08J7/04;H01J37/32;C23C16/04;C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明叙述了用于在容器的内表面上进行等离子体涂布，以对气体穿透提供有效阻隔的方法和设备。此方法提供在容器的内表面上迅速而均匀地沉积一层很薄而且近于无缺陷的聚有机硅氧烷和氧化硅层，以使阻隔性能实现增大一个数量级以上的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 容器 沉积 等离子体 涂层 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.用于为具有内表面的容器制备保护阻隔层的方法，该方法包括如下步骤：a)在部分真空下和在富氧的气氛中，使第一有机硅化合物在聚合条件下进行等离子体聚合以在容器内表面上沉积一层厚度均匀的聚有机硅氧烷层；以及b)在部分真空下，使第二有机硅化合物在聚合条件下进行等离子体聚合以沉积叠置于相同或不同的聚有机硅氧烷层上的厚度均匀的氧化硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陶氏环球技术公司，未经陶氏环球技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200380103073.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像处理方法和图像处理装置
- 下一篇：聚烯烃的生产
