[发明专利]通过阴离子或者控制自由基聚合制备羟基－乙烯基－芳族聚合物或者共聚物的方法

摘要

本发明涉及通过相应单体的阴离子聚合或者控制自由基聚合，制备羟基－乙烯基－芳族聚合物，尤其是4－羟基苯乙烯聚合物或者共聚物的方法，其中用保护基团将所述羟基官能团封闭，随后通过该保护基团与卤代硅烷试剂反应将该保护基团除去。得到的(共聚)聚合物具有窄的多分散性，并且可用于制造抗光蚀剂。

主权项

1.一种制备窄分子量分布的、多分散性M_w/M_n在1和2之间的羟基-乙烯基芳族低聚物、共聚低聚物、聚合物或者共聚物的方法，该方法包括以下步骤：a1)在至少一种硝酰基醚存在下，该硝酰基醚具有以下的结构要素：其中X表示具有至少一个碳原子的基团，并且衍生自X的自由基X·能够引发烯属不饱和单体的聚合；或者a2)在至少一种稳定的自由硝酰基自由基和自由基引发剂存在下，所述硝酰基自由基具有结构：或者a3)在具有通式(III)的化合物和催化有效量的可氧化的过渡金属配位催化剂存在下，其中p表示大于零的数并且限定引发剂碎片的数目；q表示大于零的数；[In]表示能够引发聚合的可自由基转移的原子或者基团，和-[Hal]表示离去基团；或者a4)在阴离子聚合反应中，在金属或者有机金属催化剂存在下；使至少一种通式I单体的组合物其中R₁是H或者CH₃；R₂和R₃独立地是氢、C₁-C₈烷基、C₁-C₈烷氧基、C₁-C₈烷氧羰基、C₁-C₈烷硫基、C₁-C₈二烷基氨基、三卤甲基；R₄是C₁-C₁₂烷基或者苄基，其是未被取代的或者被一个或二个C₁-C₈烷基、C₁-C₈烷氧基、C₁-C₈烷氧羰基、C₁-C₈烷硫基、C₁-C₈二烷基氨基、三卤甲基、卤素取代；或者R₄是基团苯基(甲基)CH-、(苯基)₂CH-、C₁-C₁₂烷基-O-C(O)-、苯基-CH₂-O-C(O)-或(苯基)₂CH-O-C(O)-；和任选地，同时地或者在随后的步骤中，与不同于通式(I)那些的一种或多种烯属不饱和单体，反应；和b)分离得到的聚合物，并且使其与卤代硅烷反应，给出具有通式II的重复单元并且OH-基团水平基于被保护的通式1羟基-乙烯基芳族单体的摩尔量在10摩尔％和100摩尔％之间的聚合物。