[发明专利]具有用于改进的读出的适配磁畴形状的磁畴扩展ROM介质无效
| 申请号： | 200380103309.3 | 申请日： | 2003-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1711602A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | C·A·维斯楚伦;F·滋普 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11B11/105 | 分类号： | G11B11/105 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨生平;张志醒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有改良的读出性能的磁畴扩展存储介质和制造方法。该存储介质的基板和/或它的存储层被处理，以定义适配于热读取剖面的前部的磁畴的预定形状。具体地说，定义在轨道方向上翻转的反向月牙形磁畴。这改良了分辨率和抖动值。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 改进 读出 适配磁畴 形状 扩展 rom 介质 | ||
【主权项】：
1.一种磁畴扩展存储介质，其中的畴壁被替换，由此放大了读出层中的磁畴，从而再现存储层中的磁畴代表的信息，其中所述存储介质的基板具有局部改变的表面结构，或者所述存储层具有局部改变的磁学性能，它们被排布成定义所述磁畴的预定形状，所述预定形状具有适配于预定热读取剖面的弯曲。
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