[发明专利]电子器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200380103349.8 | 申请日： | 2003-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1711645A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | 丸山竜一郎;阿多诚文;白石诚司 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;B82B1/00;B82B3/00;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种微电子器件以及制造该器件的方法可以克服现有碳分子所构成的电子器件的缺陷，并具有优于现有器件的性能。绝缘栅极场效应晶体管包括多壁碳纳米管(10)，其中，多壁碳纳米管(10)具有外部半导体碳纳米管层(1)以及部分被外部半导体碳纳米管层(1)所覆盖的内部金属化碳纳米管层(2)。金属源电极(3)和金属漏电极(5)与半导体碳纳米管层(1)的两端相接触，而金属栅极电极(4)与金属化碳纳米管层(2)相接触。在半导体碳纳米管层(1)和金属化碳纳米管层(2)之间的空间作为栅极绝缘层使用。包括外部半导体碳纳米管层(1)和内部金属化碳纳米管层(2)的两层选自多壁碳纳米管的碳纳米管层。这些层都处理成适用于用于作为多壁碳纳米管(10)使用的形式。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，其特征在于，所述电子器件包括：第一管状碳分子；第二管状碳分子，该分子基本上是平行于所述第一管状碳分子设置的，部分覆盖着所述第一管状碳分子，且具有半导体性能；电压施加部件，用于将电压施加至所述第一管状碳分子；电流输入部件，用于将电流输入至所述第二管状碳分子；和电流输出部件，用于从所述第二管状碳分子输出电流。
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