[发明专利]与厚膜糊料相容的保护层无效
申请号: | 200380103383.5 | 申请日: | 2003-11-14 |
公开(公告)号: | CN1711505A | 公开(公告)日: | 2005-12-21 |
发明(设计)人: | Y·H·金 | 申请(专利权)人: | 纳幕尔杜邦公司 |
主分类号: | G03F7/039 | 分类号: | G03F7/039;H01L23/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘维升;段晓玲 |
地址: | 美国特拉华*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种采用特殊保护聚合物层制造使用厚膜糊料的电子器件的新方法。该保护聚合物层由在辐照后不溶于厚膜糊料中所含酯型溶剂的材料制成。通过恰当选择保护膜聚合物,该保护膜可与厚膜糊料相容。 | ||
搜索关键词: | 糊料 相容 保护层 | ||
【主权项】:
1.一种制造电子器件的方法,包括:a)在电子器件结构上涂以正性光成象保护层,该层包含一种聚合物,其中聚合物的至少50mol%单体包含选自下列结构式的结构:其中R1是氢或低级烷基;R2是低级烷基;且R3是氢或低级烷基,其中低级烷基的定义包括1~6个线型或环状碳原子的烷基基团;b)其中R1是氢或低级烷基;R2是低级烷基;且R3和R4独立地是氢或低级烷基,其中低级烷基的定义包括1~6个碳原子的烷基基团以及R1 与R2,或R1与R3或R4联合起来,或者R2与R3或R4联合起来以形成一个5-、6-或7-元环;以及c)其中R1是氢或低级烷基;R2是低级烷基;且R3和R4独立地是氢或低级烷基,其中低级烷基的定义包括1~6个碳原子的烷基基团以及R1 与R2,或R1与R3或R4联合起来,或者R2与R3或R4联合起来以形成一个5-、6-或7-元环。
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