[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200380103589.8 | 申请日： | 2003-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1714487A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 渡边温;伊藤敦也;高桥宏和;木村义则;宫地护 | 申请（专利权）人： | 先锋株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体发光元件使用了包含势阱层和将该势阱层夹在其间的阻挡层的化合物半导体量子阱结构作为有源层。在该半导体发光元件的相邻势阱层和阻挡层中，势阱层在电子注入侧上与阻挡层的界面处以及界面附近部分地具有掺杂势阱区域，向该区域添加n型杂质，并且阻挡层至少在界面处和界面附近具有掺杂阻挡区域，向该区域添加n型杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体发光元件，其至少由包含有源层的化合物半导体构成，该有源层是由包括势阱层和将所述势阱层夹在其间的阻挡层的量子阱结构组成的，其中所述势阱层在电子注入侧上与所述阻挡层的界面处以及所述界面附近部分地具有添加了n型杂质的掺杂势阱区域，并且其中所述阻挡层至少在所述界面处和所述界面附近具有添加了所述n型杂质的掺杂阻挡区域。
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