[发明专利]低压多结垂直腔表面发射激光器无效
申请号: | 200380103664.0 | 申请日: | 2003-11-18 |
公开(公告)号: | CN1714485A | 公开(公告)日: | 2005-12-28 |
发明(设计)人: | 郑居连;谢灿龙;刘国力;麦迪恰拉·温科塔·拉曼那·穆蒂 | 申请(专利权)人: | JDS尤尼弗思公司 |
主分类号: | H01S5/00 | 分类号: | H01S5/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人: | 郑小粤 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种包括光发射区域(204)的光学装置,所述光发射区域发射工作波长的光,所述光发射区域包括至少一个活性区(215)。一个n-型传导性接触区域(216)位于所述活性区的一个表面上,且一个p-型传导性接触区域(218)位于一个相对的表面上。p/n隧道结(202)的p表面位于所述p-型传导性接触区域的所述相对的表面上,且n-型传导性接触区域位于n表面上。所述光发射区域(204)位于一个光学增益腔内,该光学增益腔包括一个镜(210),一个相对的镜(206),和一个基片,所述基片用粘合层(214)焊接粘合到所述镜(210)和所述相对的镜(206)中的至少一个。 | ||
搜索关键词: | 低压 垂直 表面 发射 激光器 | ||
【主权项】:
1.一种制造具有工作波长的光学装置的方法,所述方法包括以下步骤:提供第一基片;外延生长发射所述工作波长的光的光发射区域,所述光发射区域被置于所述第一基片上,其中,所述光发射区域包括有效区域和第一传导性类型和第二传导性类型的接触区域,以使所述光发射区域位于相对的传导性类型的接触区域之间;外延生长第一交替层的堆栈,所述第一交替层的堆栈由具有第一折射率的第一材料和具有第二折射率的第二材料组成,并位于所述光发射区域上,其中所述第一折射率实质上不同于所述第二折射率,以使所述第一交替层的堆栈形成第一镜;将第二基片焊接粘合到所述第一交替层的堆栈;去除所述第一基片以实质上暴露所述光发射区域;和外延生长第二交替层的堆栈,所述第二交替层的堆栈由具有第三折射率的第三材料和具有第四折射率的第四材料组成,并位于所述光发射区域上,其中所述第三折射率实质上不同于所述第四折射率,以使所述第二交替层的堆栈形成第二镜。
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