[发明专利]在金属层上形成盖覆有效
| 申请号： | 200380103841.5 | 申请日： | 2003-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1714447A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 克里什纳·塞尚;郑永辉;邓海平 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施方案中，本发明包括具有金属层(110)的装置，该金属层具有设置在衬底(100)上的盘(115)；以及包括设置在该金属层上的盖覆(140)，该盖覆具有提供与探针接触的第一部分和提供连接表面的第二部分，并且该盖覆被电耦合到所述盘。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 形成 | ||
【主权项】：
1、一种装置包括：设置在衬底上的金属层，所述金属层具有至少一个盘；以及设置在所述金属层上的盖覆层，所述盖覆层具有第一部分以提供与探针的接触以及第二部分以提供连接表面，所述盖覆层被电耦合到所述至少一个盘。
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