[发明专利]双晶体管或非器件有效
| 申请号： | 200380103941.8 | 申请日： | 2003-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1714451A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | Z·克里沃卡皮奇;J·X·安;林明仁;汪海宏 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种或非(NOR)门，由二个非对称鳍型场效应晶体管(FinFET)类型的晶体管(801、802)所构成，替代传统的由四个晶体管所构成的NOR门。晶体管数目由四个降至两个可明显增进集成的半导体电路的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 双晶 器件 | ||
【主权项】：
1.一种或非(NOR)门，包括：第一鳍型场效应晶体管(FinFET)(801)，包括独立可控制的第一栅极与第二栅极区域(822、823)、源极区域(821)、以及漏极区域(820)；第二鳍型场效应晶体管(802)，包括独立可控制的第一栅极与第二栅极区域(832、833)、源极区域(831)、以及漏极区域(830)；该NOR门的第一输入线，其连接至该第一鳍型场效应晶体管(801)的第一栅极区域(822)以及该第二鳍型场效应晶体管(802)的第一栅极区域(832)；该NOR门的第二输入线，其连接至该第一鳍型场效应晶体管(801)的第二栅极区域(823)以及该第二鳍型场效应晶体管(802)的第二栅极区域(833)；以及该NOR门的输出线，其连接至该第一鳍型场效应晶体管(801)的源极区域(820)以及该第二鳍型场效应晶体管(802)的漏极区域(830)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先进微装置公司，未经先进微装置公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200380103941.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数据包传送装置
- 下一篇：用于圆盘刀具的低成本的环形刀片
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
