[发明专利]新型场效应晶体管和制造方法有效
| 申请号： | 200380104209.2 | 申请日： | 2003-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1717798A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·乔;道格拉斯·巴雷吉;金本义 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/786 | 分类号： | H01L21/786;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种新型场效应晶体管，其具有由形成在绝缘衬底上的窄带隙半导体膜形成的沟道区。在窄带隙半导体膜上形成栅极电介质层。然后在栅极电介质上形成栅极电极。由宽带隙半导体膜或金属形成的一对源极区/漏极区形成在所述栅极电极的相对侧上并与窄带隙半导体膜相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：由形成在绝缘衬底上的窄带隙半导体膜形成的沟道区；形成在所述低带隙半导体膜上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极电极；以及由具有比所述低带隙半导体膜更宽带隙的半导体膜形成的一对源极区/漏极区，所述半导体膜形成在所述栅极电极的相对侧上并与所述低带隙半导体膜相邻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200380104209.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子像机和自动聚焦方法
- 下一篇：铝合金与树脂组合物的复合体及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
