[发明专利]测试埋入式动态随机访问存储器电路的模数测试控制器无效
| 申请号： | 200380104269.4 | 申请日： | 2003-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1717750A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | T·博伊勒 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种具有可测试埋入式DRAM电路的内置自测电路的模数测试控制器系被提供。该测试控制器系包含可执行测试的一内置自检(BIST)核心，该BIST核心系包含已证明测试算法；可连接该BIST核心及外部测试器的一可选择测试器接口；及可连接该BIST核心及该埋入式DRAM的一可选择埋入式DRAM接口，该埋入式DRAM系包含可储存数据的多个存储单元。本发明使半导体装置设计者得以保持一测试流程及对多特定应用集成电路产品/世代再使用已证明BIST核心。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 埋入 动态 随机 访问 存储器 电路 控制器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包含：可储存数据的一埋入式动态随机访问存储器(eDRAM)，该埋入式DRAM系包含多个存储单元；及可测试该多个存储单元来决定该单元是否有缺陷的一测试控制器，该测试控制器系包含可执行测试的一内置自检(BIST)核心，该BIST核心系包含已证明测试算法；可连接该BIST核心及外部测试器的一可选择测试器接口；及可连接该BIST核心及该埋入式DRAM的一可选择埋入式DRAM接口。
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