[发明专利]稀土卤化物块的制备方法有效
| 申请号： | 200380104320.1 | 申请日： | 2003-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1717466A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | A·伊尔蒂斯 | 申请（专利权）人： | 圣戈班晶体及检测公司 |
| 主分类号： | C09K11/00 | 分类号： | C09K11/00;C01F17/00;C30B29/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤;段晓玲 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种式AeLnfX (3f+e)多晶卤化物块的制备方法，其中Ln代表一种或多种稀土；X代表一种或多种选自Cl、Br或I的卤素原子；A代表一种或多种碱金属，例如K、Li、Na、Rb或Cs；e可以是零，不大于3f，f不小于1，水和卤氧化物含量低，所述的方法包括下述步骤：加热至少一种含有至少一种Ln－X键的化合物与足够量的NH4X的混合物的步骤，以达到所需要的卤氧化物含量，所述的步骤得到一种含有稀土卤化物的熔块，所述的加热步骤后接一个冷却步骤，在达到300℃之后而得到熔融块之前，加热步骤不降到200℃以下。如此得到的块能生长具有显著闪烁性能的非常纯的单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 稀土 卤化物 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.至少10g式AeLnfX(3f+e)卤化物的多晶块的制备方法，式中Ln代表一种或多种稀土，X代表一种或多种选自Cl、Br或I的卤素原子，而A代表一种或多种碱金属，如K、Li、Na、Rb或Cs，e可以是零，小于或等于3f，而f大于或等于1，所述的块含有0.1重量％以下的水和0.2重量％以下的稀土卤氧化物，其特征在于该方法包括加热至少一种含有至少一个Ln-X键的化合物与足够量NH4X的混合物的步骤，以得到需要的卤氧化物含量，所述的化合物与NH4X可能至少部分地在一个配合物内化合，所述的步骤得到一种熔化块，它含有式AeLnfX(3f+e)稀土卤化物，所述的加热步骤在得到熔化块后后接一个冷却步骤，所述的加热步骤在达到300℃之后而在得到所述的熔化块之前不再降低至低于200℃。
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