[发明专利]源极及/或漏极区域中充填区域的晶体管有效
| 申请号： | 200380104326.9 | 申请日： | 2003-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1717809A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | K·埃斯马克;P·里斯;T·沙夫鲍尔;M·斯特雷布;M·文德 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种晶体管具源极区域(SO)及漏极区域(D)，形成二或更多充填区域(FB)使得该充填区域(FB)及该源极(SO)及/或漏极区域(D)彼此接合。该充填区域(FB)具至少为与该源极(SO)及/或漏极区域(D)的垂直尺寸相同大小的垂直尺寸。该充填区域(FB)与该源极(SO)及/或漏极区域(D)系至少部分于共同垂直区段延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 区域 充填 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其具-排列于基片(S)的源极(SO)及漏极区域(D)，-二或更多充填区域(FB)且每一个充填区域(FB)系至少部分排列于该基片上且该充填区域(FB)与该源极(SO)及/或漏极区域(D)延伸进入彼此，其特征在于该充填区域(FB)具至少为与该源极(SO)及/或漏极区域(D)的垂直尺寸相同大小的垂直尺寸。
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