[发明专利]带有共享电流线路的磁存储器体系结构

摘要

本发明涉及一种磁或磁阻随机访问存储器(MRAMs)。本发明提供一种具有设置成逻辑组织的行和列的磁阻存储单元的阵列，每一存储单元包括磁阻元件(32A，32B)。该矩阵包括一组列线(34)，列线(34)是连续的导电带，其可以与列的每一存储单元的磁阻元件(32A，32B)磁耦合。两个相邻的列共享列线(34)，该共享列线(34)的区域基本上在共享该列线的两个相邻列的磁阻元件上延伸。根据本发明，该阵列而且每列包括至少一个辅助列线(36A，36B)，用于在共享该列线的其中一个相邻列的磁阻元件(32A，32B)中产生局部磁场。本发明的优点是，存储单元的密度相比于带有共享列线的现有技术的存储器件可以得到提高，从而减少了制造MRAM存储器所需要的空间。

主权项

1.一种具有设置成逻辑组织的行和列的磁阻存储单元的阵列，每一存储单元包括磁阻元件，该矩阵包括一组列线，列线是连续的导电带，其可以与一列的每一存储单元的磁阻元件磁耦合，两个相邻的列共享一个列线，该共享列线的区域基本上在共享该列线的两个相邻列的磁阻元件上方延伸，该阵列进一步包括每列至少一个辅助列线，用于在共享该列线的其中一个相邻列的磁阻元件中产生局部磁场。