[发明专利]源极区下面具有隐埋P型层的晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200380104488.2 | 申请日： | 2003-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN1717811A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | S·斯里拉姆 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;张志醒 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供金属半导体场效应管(MESFET)的单元。MESFET的单元包括源极(13)、漏极(17)和栅极(24)。栅极(24)设置在源极(13)和漏极(17)之间，并在n型导电沟道层(18)上。P型导电区(14)设置在源极下面并且具有伸向所述漏极(17)的端部。P型导电区(14)与n型导电沟道区域(18)隔开并且在电气上连接到源极(13)。 | ||
| 搜索关键词： | 源极区 下面 具有 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属半导体场效应晶体管(MESFET)的单元，它包括：MESFET，它具有源极、漏极和栅极，所述栅极在所述源极和所述漏极之间，并在n型导电沟道层上；和p型导电区，它在所述源极的下面并且具有伸向所述漏极的端部，所述p型导电区与所述n型导电沟道层彼此隔开并在电气上连接到所述源极。
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