[发明专利]3～5族化合物半导体及其制造方法

摘要

本发明提供了一种3～5族化合物半导体，其特征在于，按所述顺序至少具有衬底、用通式In_uGa_vAl_wN(0≤u、v、w≤1，u+v+w＝1)表示的缓冲层及用通式In_xGa_yAl_zN(0≤x、y、z≤1，x+y+z＝1)表示的3～5族化合物半导体晶体层，该缓冲层的膜厚是5埃以上90埃以下，以及一种制造3～5族化合物半导体的方法，其特征在于，在衬底上使用通式In_xGa_yAl_zN表示的3～5族化合物半导体晶体生长时，在使该化合物半导体晶体层生长之前，在比该化合物半导体晶体层的生长温度低的温度下将用通式In_uGa_vAl_wN表示的缓冲层成膜为5埃以上90埃以下的膜厚之后，使该化合物半导体晶体层生长。

主权项

1.一种3～5族化合物半导体，其特征在于，按所述顺序至少具有衬底、用通式InuGavAlwN(式中0≤u≤1、0≤v≤1、0≤w≤1，u+v+w＝1)表示的缓冲层和用通式InxGayAlzN(式中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1，x+y+z＝1)表示的3～5族化合物半导体晶体层，该缓冲层的膜厚是5埃以上90埃以下。