[发明专利]高频用磁性薄膜、复合磁性薄膜和利用这些磁性薄膜的磁性元件无效
| 申请号： | 200380105039.X | 申请日： | 2003-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1720596A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 崔京九;村濑琢 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01F10/16 | 分类号： | H01F10/16;H01F10/13;H01F17/04;H01F17/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过组合由T－L组合物(其中，T＝Fe或FeCo，L是从C、B和N中选择的至少1种元素)构成的T－L组合物层5、和配置在该T－L组合物层5的任一面侧的Co系非晶质合金层3，可得到兼有高导磁率和高饱和磁化的高频用磁性薄膜1。而且除T－L组合物层5和Co系非晶质合金层3以外，通过进一步配置比T－L组合物层5和Co系非晶质合金层3表现出更高电阻的高电阻层7，就可以得到兼有高导磁率和高饱和磁化、同时表现出高比电阻的高频用磁性薄膜1。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 磁性 薄膜 复合 利用 这些 元件 | ||
【主权项】：
1、一种高频用磁性薄膜，其特征在于，该磁性薄膜含有：由T-L组合物构成的第1层，由配置在所述第1层的任一面侧的Co系非晶质合金构成的第2层，以及被配置在所述第1层或所述第2层的任一侧、比所述第1层和所述第2层表现出更高电阻的第3层，其中，T是Fe或FeCo，L是从C、B和N中选择的至少1种元素；且多个所述第1层、多个所述第2层和多个所述第3层层叠而形成多层膜构造。
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