[发明专利]半导体光子器件中的量子阱混合无效
| 申请号： | 200380105191.8 | 申请日： | 2003-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1720651A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·P·纳杰达 | 申请（专利权）人： | 英坦斯有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 英国格*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种用于在半导体结构中制造半导体器件的方法，提供了在期望的器件区域中的增强的量子阱混合，包括步骤：在衬底上形成质量相对高的第一外延层，该高质量层包括量子阱；在所述高质量层上形成质量相对低的第二外延缺陷层；热处理所述结构，以实现缺陷从所述缺陷层至少部分扩散到所述高质量层中，以便实现所述结构中的量子阱混合。在高质量的外延生长的器件主体之上或之内使用外延生长的缺陷层，使得量子阱混合技术能够在更低温度下进行，并从而改善了器件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光子 器件 中的 量子 混合 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体结构中制造半导体器件的方法，包括如下步骤：在衬底上形成质量相对高的第一外延层，该高质量层包括量子阱；在所述高质量层上形成质量相对低的第二外延缺陷层；以及热处理所述结构，以实现缺陷从所述缺陷层至少部分扩散到所述高质量层中，以便实现所述结构中的量子阱混合。
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