[发明专利]通过贵金属共镀形成铜互连结构的方法以及由此形成的结构无效
| 申请号： | 200380105242.7 | 申请日： | 2003-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1720354A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 瓦莱利·迪宾 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | C25D3/58 | 分类号： | C25D3/58;C25D7/12;C23C18/48 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成铜互连的方法，包括在设置在衬底上的介电层中形成开口，在该开口上形成阻挡层，在该金属层上形成籽晶层，以及通过电镀和/或无电镀沉积在该籽晶层上形成铜－贵金属合金层。该铜－贵金属合金层改善了铜互连的电特性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 贵金属 形成 互连 结构 方法 以及 由此 | ||
【主权项】：
1.一种镀铜的方法，包括：通过电镀在表面镀上铜合金层，其中所述合金层基本上包括铜和贵金属。
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