[发明专利]金属芯衬底封装无效
申请号: | 200380105243.1 | 申请日: | 2003-10-27 |
公开(公告)号: | CN1720617A | 公开(公告)日: | 2006-01-11 |
发明(设计)人: | 约翰·格泽克;哈密德·阿兹米;达斯廷·伍德;华盛顿·莫布利 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/14 | 分类号: | H01L23/14;H01L21/768 |
代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 | 代理人: | 齐永红 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供了用于刚性金属芯承载衬底的装置和方法。所述金属芯将所述承载衬底的弹性模量提高到大于20Gpa,从而更好地抵抗在装配、测试和消费者操作过程中所遭遇到的弯曲负荷和应力。所述承载衬底不需要提供外部的加强构件,导致了一种减少了尺寸和复杂性的微电子封装。所述承载衬底的热膨胀系数可以被调适到更接近地与微电子管芯的热膨胀系数相匹配,提供了对热致应力具有更好抵抗力的器件。在根据本发明的方法的一个实施方案中,使用标准的加工技术将电介质材料和导电材料层压在金属片的两面以形成承载衬底,所述金属片具有在包括200-500μm的范围内的厚度,并且具有至少20Gpa的弯曲弹性模量。 | ||
搜索关键词: | 金属 衬底 封装 | ||
【主权项】:
1、一种制造刚性金属芯承载衬底的方法,包括:以金属片的形式提供金属芯,所述金属片具有第一侧、相对的第二侧,以及至少一个通孔,所述的金属芯具有至少20Gpa的弯曲弹性模量;以预定图形沉积电介质材料而形成电介质层,所述沉积是在所述第一侧、所述第二侧以及每个通孔上进行,以在所述通孔中形成电介质栓;在所述电介质栓中形成通孔,所述通孔的直径小于所述芯通孔以形成电介质衬;通过在界定镀覆通孔的所述电介质衬上沉积导电材料形成导电衬,所述电介质衬使所述导电衬与所述金属芯绝缘;以及以预定图形在所述电介质层上沉积导电材料。
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