[发明专利]增强等离子体蚀刻性能的方法有效
| 申请号： | 200380105311.4 | 申请日： | 2003-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN1723549A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李鲁民;雷扎·萨德杰迪;Z·黄 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种用于通过蚀刻掩模在层中蚀刻特征的方法。用钝化气体混合物在蚀刻掩模的暴露表面和所述特征的侧壁上形成保护层。用包含至少一种蚀刻化学制品和至少一种钝化化学制品的反应性蚀刻混合物通过蚀刻掩模蚀刻所述特征。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 等离子体 蚀刻 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于通过蚀刻掩模在层中蚀刻特征的方法，所述方法包括：用钝化气体混合物在所述蚀刻掩模和所述特征的垂直侧壁的暴露表面上形成保护覆盖层；以及利用包含至少一种蚀刻化学制品和至少一种钝化化学制品的反应性蚀刻混合物通过所述蚀刻掩模蚀刻所述特征。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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