[发明专利]曝光装置和器件制造方法无效
| 申请号： | 200380105396.6 | 申请日： | 2003-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1723536A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 大和壮一 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种曝光装置，在投影光学系统和衬底之间充满液体进行曝光处理的时候，能够抑制起因于液体中气泡的图案像恶化。该曝光装置包括：用于以液体(50)充满上述投影光学系统和衬底之间的至少一部分的液体供给装置(1)，通过投影光学系统将图案图像投影在衬底上曝光。液体供给装置包括：抑制上述液体(50)中发生气泡的气泡抑制装置(21)。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 装置 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种曝光装置，用于以规定图案像使衬底曝光，其特征在于包括：使上述规定图案像投影到衬底上的投影光学系统；向上述投影光学系统和衬底之间供给液体的液体供给装置；以及除去包含在供给上述投影光学系统和衬底之间的液体中气体成分的气体除去装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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