[发明专利]曝光装置和器件制造方法有效
申请号: | 200380105422.5 | 申请日: | 2003-12-08 |
公开(公告)号: | CN1723540A | 公开(公告)日: | 2006-01-18 |
发明(设计)人: | 根井正洋;小林直行;千叶洋;蛭川茂 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜日新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 曝光装置(EX)在投影光学系统(PL)和衬底(P)之间充有液体(50),投影光学系统(P)通过液体(50)将图形图像投影在衬底(P)上,对衬底(P)进行曝光。它包括:保持衬底的衬底台(PST);向投影光学系统的像面侧供给液体的液体供给装置(1);以及经过液体(50)检测衬底(P)表面的表面信息的聚焦/平整检测系统(14)。曝光装置(EX)根据聚焦/平整检测系统检测(14)的表面信息,一边调整衬底(P)表面与投影光学系统(PL)经过液体(50)形成的像面之间的位置关系一边进行衬底的浸液曝光。能够以良好图案转印精度进行浸液曝光。 | ||
搜索关键词: | 曝光 装置 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种曝光装置,用于经过液体使衬底曝光将图案像复制在衬底上,其特征在于包括:把图案像投影到衬底上的投影光学系统;保持上述衬底的第1衬底台;在上述投影光学系统的像面一侧供给上述液体的液体供给装置;以及经过液体检测上述衬底表面的表面信息的表面检测系统,根据检测的上述表面信息,一边调整上述衬底表面与上述投影光学系统经过上述液体形成的像面之间的位置关系一边进行上述衬底的浸液曝光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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